高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件

摘要：

用分子束外延技术将高灵敏度的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件赝配生长在GaAs衬底上.设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度.与传统的没有掺杂的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15000 cm2·V-1·s-1提高到16000 cm2·V-1·s-1.AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量.从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构.双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的InAs/AlSb异质结Hall器件具有广阔的应用前景.

关键词：霍尔器件、量子阱、双δ掺杂、分子束外延

所属期刊栏目：39

分类号：TN305;TN382(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年基金项目51302215;陕西省教育厅科研计划17JK0698;陕西省科技厅专项基金2016KRM029资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China51302215;Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provin-cial Education Department17JK0698;The Science and Technology Project of Shaanxi Province2016KRM029

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：687-691