氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响

摘要：

采用实验与理论模拟相结合的方法,研究了氮化镓基绿光发光二极管(LED)中V坑对空穴电流分布的影响.首先,实验获得了V坑面积占比不同的3种样品;然后,建立数值模型,使得理论计算的外量子效率(EQE)及电压与实验测试的变化趋势相匹配,从而确立了所用数值模型的可信性.计算结果显示:V坑改变了空穴电流的分布,空穴电流密度在V坑处显著增加,在平台处明显减小.进一步的分析表明:V坑面积占比在0～10％范围内,V坑空穴电流占比与V坑面积占比之间呈近线性增长(斜率为2.06),但V坑空穴注入在整个空穴注入的过程中仍未占主导.

关键词：V坑、氮化镓、绿光LED、空穴电流分布

所属期刊栏目：39

分类号：O482.31;O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11674147,11364034,21405076,11604137,51602141;江西省自然科学基金20161BAB201011;江西省重点研发计划20171BBE50052资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China11674147, 11364034, 21405076, 11604137, 51602141;Natural Science Foundation of Jiangxi Province20161BAB201011;Key Research and Development Plan of Jiangxi Province20171BBE50052

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：674-680