反射式倒装对1300 nm激光器性能改善的分析

摘要：

对AlGaInAs多量子阱1300 nm FP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20 μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射.测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件单模光纤的平均耦合功率从1850 μW提高至2326 μW,耦合效率从21.1%提高到26.5%.对两种激光器进行光电参数的测量,结果表明:与常规封装器件相比,采用反射式倒装结构器件的饱和电流从135 mA提高至155 mA,饱和输出功率从37 mW提高至42 mW,热阻从194 K/W降低至131 K/W.最后对两种器件在95 ℃环境温度、100 mA电流下进行加速老化实验,老化结果显示:在老化条件下,器件衰退系数从常规封装的4.22×10 -5降低至1.06×10 -5,寿命从5283 h提高至21027 h.

关键词：AlGaInAs多量子阱激光器、倒装、Au反射层、发散角、加速老化

所属期刊栏目：39

分类号：O472;TN248.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61405198;国家863计划2013AA014202资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China61405198;National High Technology Research and Development Program of China2013AA014202

在线出版日期：2018-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：534-540