正十八硫醇钝化GaAs(100)表面特性研究
为了有效降低GaAs半导体表面态密度,提出了采用正十八硫醇(ODT,CH3[CH2]17SH)进行GaAs表面钝化的方案.首先,分别对GaAs (100)晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM,CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化,通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后晶片表面的化学成分,然后利用光致发光光谱(PL)对正十八硫醇处理的GaAs(100)晶片进行了钝化时间的优化,最后通过扫描电子显微镜(SEM)测试了钝化前后的晶片表面形貌.实验结果表明:采用正十八硫醇钝化的GaAs(100)表面,相比常规硫代乙酰胺钝化方案,具有更低的氧化物含量和更厚的硫化层厚度;室温钝化条件下,钝化时间越长,正十八硫醇的钝化效果越好,但PL强度在钝化超过24 h后基本达到稳定,最高PL强度提高了116％;正十八硫醇钝化的GaAs(100)晶片具有良好的表面形貌,表面形成了均匀、平整的硫化物钝化层.数据表明正十八硫醇是钝化GaAs(100)表面一种非常有效的技术手段.
钝化、砷化镓、正十八硫醇
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TN209(光电子技术、激光技术)
吉林省科技发展计划20170520169JH,20160204069GX,20170101111JC;国家自然科学基金51672103;国家重点研发计划2016YFB0401103;Natural Science Foundation of Jilin Province20170520169JH,20160204069GX,20170101111JC;National Natural Science Foundation of China51672103;National Key Research and Development Program of China2016YFB0401103
2018-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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