高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件

摘要：

用分子束外延在GaAs(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构.研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系.结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25000 cm2?V-1?s-1,并且该器件输入电阻和输出电阻较低.同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件.

关键词：霍尔器件、量子阱、δ掺杂、分子束外延

所属期刊栏目：38

分类号：TN305;TN382(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年基金51302215;陕西省教育厅科研计划17JK0698资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China51302215;Scientific Research Program Funded by Shaanxi Provin-cial Education Department17JK0698

在线出版日期：2018-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1650-1653