基于PBDT-TT-F:PCBM体异质结红光探测器的光电特性

摘要：

采用旋涂工艺与蒸镀工艺结合的方法制备了PBDT-TT-F:PCBM体异质结红光探测器,研究了活性层的混合比例和厚度、退火温度等因素对器件光电特性的影响.实验结果表明:活性层PBDT-TT-F:PCBM的混合质量比为1:1.5、厚度为150 nm、退火温度为100℃、时间为15 min时制备的器件性能最佳,在波长为650 nm、功率为6.6 mW/cm2的光照下,探测器光电流密度可达到0.85 mA/cm2,光响应度达到128 mA/W.

关键词：有机光电探测器、红光、活性层、光电特性

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2018-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1643-1649