氧化石墨烯纳米带能带结构和态密度的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论,采用第一性原理方法,计算了氧化石墨烯纳米带的电荷密度、能带结构和分波态密度.结果表明,石墨烯纳米带被氧化后,转变为间接带隙半导体,带隙值为0.375 eV.电荷差分密度表明,从C原子和H原子到O原子之间有电荷的转移.分波态密度显示,在导带和价带中C-2s、2p,O-2p,H-1s电子态之间存在强烈的杂化效应.在费米能级附近,O-2p态电子局域效应的贡献明显,对于改善氧化石墨烯纳米带的半导体发光效应起到了主要作用.

关键词：氧化石墨烯纳米带、能带、分波态密度、第一性原理

所属期刊栏目：38

分类号：O472.4;TB321(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11464034;内蒙古自治区自然科学基金2016BS0107;内蒙古民族大学科学研究项目NMDGP1718资助Supported by National Natural Science Foundation of China11464034;Natural Science Foundation of Inner Mongolia2016BS0107;Scientific Research Project of Inner Mongolia University for NationalitiesNMDGP1718

在线出版日期：2018-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1617-1621