非晶镁铟锡氧薄膜晶体管的制备及退火对其性能的影响

摘要：

为了优化镁铟锡氧薄膜晶体管(MITO-TFT)的性能,采用磁控溅射法制备MITO-TFT并分别研究了退火温度和退火气氛(O2流量)对器件性能的影响.实验结果表明,O2流量为400 cm3/min、退火温度为750℃的MITO薄膜为非晶态,且其对应薄膜晶体管有最佳性能,其饱和迁移率为12.66 cm2/(V·s),阈值电压为0.8 V,开关比达到107.适当的退火处理可以有效减少缺陷与界面态密度,并提高器件性能.

关键词：MITO-TFT、氧化物半导体、迁移率、退火温度、退火氧气流量

所属期刊栏目：38

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51372016,61275022资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China51372016,61275022

在线出版日期：2017-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1539-1544