高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

摘要：

采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上外延生长高In组分(>40%)InGaNAs/GaAs量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段.利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和InGaNAs/GaAs量子阱的生长特性.结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In0.4 Ga0.6 N0.01 As0.99/GaAs量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量.

关键词：InGaNAs、量子阱、分子束外延、光致发光光谱

所属期刊栏目：38

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61274137,11304274;云南省教育厅基金2014Z043资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China61274137,11304274;Department of Education Fund of Yunnan Province2014Z043

在线出版日期：2017-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1510-1515