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10.3788/fgxb20173810.1403

高反射率硅基薄膜一维光子晶体的研究制备

引用
采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法,研究制备了一种基于硅基薄膜的高反射一维光子晶体.通过交替改变反应气体组分实现低折射率SiOx层和高折射率a-Si层的交替层叠沉积,具有两种膜层介质折射率比大、反射率高、沉积时间短、工艺窗口宽等优点.采用5周期的SiOx层与a-Si层构成的一维光子晶体(厚度分别为155 nm和55 nm),其禁带范围内(650~1100 nm)的平均反射率达到99.1%,高于相同波长范围内Ag的平均反射率(96.3%).

一维光子晶体、硅基薄膜、高反射

38

O472+.3(半导体物理学)

国家自然科学基金61176060,61404074,61504069,61377031,61605145;天津市自然科学基金14JCQNJC02100资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China61176060,61404074,61504069,61377031,61605145;Natural Science Foundation of Tianjin City14JCQNJC02100

2017-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1403-1408

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1000-7032

22-1116/O4

38

2017,38(10)

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