GaN基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性

摘要：

研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探测器的响应光谱和暗电流特性.实验发现,随着p-GaN层厚度的增加,p-i-n型紫外探测器的响应度下降,并且在短波处下降更加明显.肖特基探测器的响应度明显比p-i-n结构高,主要是由于p-GaN层吸收了大量的入射光所致.肖特基型紫外探测器的暗电流远远大于p-i-n型紫外探测器的暗电流,和模拟结果基本一致,主要是肖特基型探测器是多子器件,而p-i-n型探测器是少子器件.要制备响应度大、暗电流小的高性能GaN紫外探测器,最好采用p-GaN层较薄的p-i-n结构.

关键词：GaN、紫外探测器、响应度、暗电流

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61474142,21403297,11474355资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China61474142,21403297,11474355

在线出版日期：2017-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1327-1331