GaN衬底的腐蚀程度对ZnO纳米棒阵列光学性能的调控

摘要：

研究了在湿法腐蚀GaN衬底上生长的ZnO纳米棒阵列的微结构和光学性能.相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的GaN上生长的ZnO纳米棒阵列,在腐蚀8 min的GaN上生长的ZnO纳米棒阵列最细密,光学性能最好,其相应PL光谱峰强积分比IUV/Ivis最大(70.92).因为此时GaN衬底中的位错基本全部在表面露头,ZnO容易附着而形成更多的形核种子,并且衬底的位错在表面的边缘有助于诱导ZnO晶体的外延生长,所以ZnO棒更加细密,晶体质量更高,从而光学性能更好.

关键词：ZnO纳米棒、水热法、GaN衬底、湿法腐蚀、光学性能

所属期刊栏目：38

分类号：O472.1;TN364(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金21471111,61475110,61404089,61504090,61604104;国家重点研发计划2016YFB0401803;山西省基础研究项目2015021103,201601D202029;山西省科技创新重点团队201605D131045-10资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China21471111,61475110,61404089,61504090,61604104;National Key R&D Program of China2016YFB0401803;Basic Research Projects of Shanxi Province2015021103,201601D202029;Shanxi Provincial Key Innovative Research Team in Science and Technology201605D131045-10

在线出版日期：2017-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1307-1313