化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米结构及其缺陷发光性质研究

摘要：

利用化学气相沉积法(CVD),在不同压强下分别得到β-Ga2 O3纳米线(NWs)和纳米带(NBs).研究结果表明,获得的NWs与NBs均为单斜结构的β-Ga2 O3,且NWs结晶质量优于NBs.在阴极射线发光(CL)光谱中,发现NWs与NBs在近紫外和蓝光波段有较强的发光.对比NWs与NBs的CL光谱,推断β-Ga2 O3在374 nm和459 nm的近紫外和蓝色发光峰分别来自于Ⅰ型和Ⅱ型氧空位(VO(I)和VO(Ⅱ))的缺陷复合.

关键词：化学气相沉积、β-Ga2O3、阴极射线发光、氧空位

所属期刊栏目：38

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金91233204,51202026,91233204,51372035,51422201;吉林省科技发展计划20140309012GX, 20140201008GX;教育部高等学校博士学科点基金20110043120004,20120043110002,20130043110004资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China91233204,51202026,91233204,51372035,51422201;Science and Technology Development Plan of Jilin Province20140309012GX,20140201008GX;Doctoral Program of Higher Education Institution of The Ministry of Education20110043120004,20120043110002,20130043110004

在线出版日期：2017-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1273-1279