混合量子点QLED结构性能研究

摘要：

为研究基于混合量子点的QLED结构与性能,利用红光量子点以及绿光量子点两种材料制备了橙光QLED器件,并对其性能进行了表征.实验制备的器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/混合QDs/ZnO/Al,其中发光层采用了3种混合量子点的混合结构方案.方案一先旋涂红光量子点层,后旋涂绿光量子点层;方案二先旋涂绿光量子点层,后旋涂红光量子点层;方案三将红光、绿光量子点1∶1混合后制备为发光层.实验结果表明:方案一制备的器件电流密度最大,发光亮度最低,且只有红光谱;方案二制备的器件具有最小的电流密度,同时具有红、绿光谱,在8 V电压下,电流效率约为4.69 cd/A;方案三制备的器件同时具有红、绿光谱,电流密度与发光特性介于方案一与方案二之间.实测数据与理论分析是一致的,方案二制备的器件存在双能量陷阱,能够将注入的空穴以及电子同时限制在红光量子点层内.通过调节各功能层厚度使得载流子注入平衡,可进一步增大发光电流,提高器件效率.

关键词：量子点发光二极管、双能量陷阱、载流子注入平衡

所属期刊栏目：38

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划9732015CB654605资助项目 Supported by National Basic Research Program of China 973 2015CB654605

在线出版日期：2017-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1076-1082