红荧烯薄膜生长及稳定性的研究

摘要：

利用原子力显微镜研究了二氧化硅衬底上红荧烯薄膜的生长及稳定性.在较低沉积速率下,较低衬底温度时,红荧烯分子有充足的扩散时间,利于薄膜的横向生长,形成连续性、均匀性较好的薄膜.快速蒸镀及较高衬底温度使红荧烯薄膜转变为纵向生长模式,形成团粒状岛.横向生长的红荧烯薄膜在退火和空气中表现为亚稳特性,随着退火温度的升高和空气中放置时间的延长,红荧烯分子会自发地进行质量传输,发生纵向转移,转变为团粒状岛.获得了二氧化硅界面上红荧烯薄膜的生长及亚稳定机制模型.研究结果证明红荧烯分子与二氧化硅界面之间的作用力小于红荧烯分子间的作用力.

关键词：红荧烯、沉积速率、衬底温度、退火、稳定性

所属期刊栏目：38

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金21403016;吉林省教育厅项目2016326,2015174资助 Supported by National Natural Science Foundation of China21403016;Scientific Research Foundation of Education Department of Jilin Province2016326,2015174

在线出版日期：2017-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1047-1055