Pd颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备及其气敏特性
采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO2/Si衬底生长了ZnO纳米线阵列,纳米线长约为15 μm,直径为100~500 nm.通过改变溅射沉积时间(0~150 s),在ZnO纳米线表面包覆了不同厚度的Pd薄膜.在Ar气氛中,经800 ℃高温退火后,制备出Pd颗粒表面修饰的ZnO纳米线阵列并对其进行了气敏测试.对于乙醇而言,所有传感器最佳工作温度均为280 ℃.溅射时间的增加(3~10 s)导致ZnO纳米线表面Pd纳米颗粒数量及尺寸增加,传感器响应值由2.0增至3.6.过长的溅射时间 (30~150 s)将导致Pd颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜,传感器响应度显著降低.所有传感器对H2均表现出相对较好的选择性,传感器具有较好的响应-恢复特性和稳定性.最后,探讨了Pd颗粒表面修饰对ZnO纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制.
气敏特性、ZnO纳米线、Pd颗粒、表面修饰
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O484.4;TP212.2(固体物理学)
国家自然科学基金51371120,51302174,61504083;广东省自然科学基金2016A030313060;深圳市科技计划JCYJ20150324141711655;深圳大学学生创新发展基金PIDF-2016ZR021资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China51371120, 51302174, 61504083;National Natural Science Foundation of Guangdong Province2016A030313060;Science and Technology Plan of ShenzhenJCYJ20150324141711655;Student Innovation Development Fund of Shenzhen UniversityPIDF-2016ZR021
2017-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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