Eu掺杂SiCxOy薄膜的Eu3+发光机制

摘要：

利用磁控溅射技术在低温250 ℃下制备Eu掺杂SiCxOy薄膜,研究薄膜的Eu3+发光激发机制.实验结果表明,薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu3+的红光组成;随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%,其红光强度增加3倍左右,而蓝光逐渐减弱.Raman光谱及荧光瞬态谱分析表明,其蓝光由中立氧空位缺陷发光中心引起.结合薄膜的Eu3+激发光谱分析,SiCxOy∶Eu薄膜的红光增强源于薄膜中Eu3+离子浓度的增加和/或基体材料的中立氧空位缺陷发光中心与Eu3+离子的能量转移.

关键词：光致发光、铕掺杂、碳氧化硅、能量转移

所属期刊栏目：38

分类号：O469;O482.31(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金61274140,61306003;广东省自然科学基金2015A030313871;广东高校优秀青年创新人才培养计划YQ2015112;2016广东省普通高校青年创新人才项目自然科学资助 Supported by National Natural Science Foundation of China61274140,61306003;Natural Science Foundation of Guangdong Province2015A030313871;Distinguished Young Teacher Training Program in Higher Education of GuangdongYQ2015112;2016 Young Talents in Higher Education of Guangdong Province

在线出版日期：2017-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1010-1014