室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管
为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征.该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅电压为5 V、漏源电压为10 V时,器件的饱和漏电流高达2.2 mA;有效场效应饱和迁移率高达107 cm2/(V?s),是目前所报道的室温下溅射法制备ZnO TFT的最高值,亚阈值摆幅为0.28 V/decade,开关电流比大于107.利用原子力显微镜(AFM)对NbLaO和ZnO薄膜的表面形貌进行了分析,分析了器件的低频噪声特性,对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论.
薄膜晶体管、氧化锌、磁控溅射、高迁移率
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TN321+.5;O472+.4(半导体技术)
广东省自然科学基金2016A030313474资助项目 Supported by Natural Science Foundation of Guangdong Province2016A030313474
2017-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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