基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现

摘要：

基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提.为了摒除参数提取过程中封装引入的影响,实现在线参数测试,本文设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取试验装置,兼备晶圆级器件电离总剂量辐照、器件参数在线测试分析功能,并且具有通用性强、测量范围宽、结构一体化、操作自动化等特点.对设备在50 kV管压下产生的X射线能谱、剂量率、束斑的测量以及对晶圆级MOS器件进行I-V、C-V、低频噪声特性的测试分析结果表明,该设备符合ASTM F1467测试标准,且能满足晶圆级器件辐射效应参数提取要求,可为大规模集成电路抗辐射设计加固提供良好的试验条件.

关键词：抗辐射加固、试验装置、晶圆级器件、X射线辐照、辐射效应、参数提取

所属期刊栏目：38

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：中国科学院西部之光重点项目ZD201301;国家自然科学基金11675259资助项目 Supported by Key Project of The Western Light of The Chinese Academy of SciencesZD201301;National Natural Science Foundation of China11675259

在线出版日期：2017-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：828-834