插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

摘要：

为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层.采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO2薄膜,再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO2电流阻挡层.采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响,研究插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响.结果发现,插指型SiO2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象.与没有沉积插指型SiO2电流阻挡层的大功率LED芯片相比,光输出功率得到显著的提高.在350 mA的输入电流下,沉积插指型SiO2电流阻挡层后的大功率LED芯片的外量子效率提高了18.7%.

关键词：大功率LED、插指型SiO2电流阻挡层、电流拥挤、外量子效率

所属期刊栏目：38

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51675386, 51305266;"863" 国家高技术研究发展计划重大项目2015AA03A101资助 Supported by National Natural Science Foundation of China51675386, 51305266;Major Project of "863" National High Technology Research and Development Program2015AA03A101

在线出版日期：2017-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：786-792