6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备

摘要：

利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al0.19Ga0.81N/Al0.37Ga0.63N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方根粗糙度仅为0.4 nm且导电性能良好的n型DBR,其在369 nm处峰值反射率为68%,阻带宽度为10 nm.在获得导电DBR的基础上,进一步在n型6H-SiC衬底上构建了有、无DBR的垂直结构紫外LED.对比两者电致发光光谱,发现DBR结构的引入有效增强了LED紫外发光强度.

关键词：AlGaN、紫外发光二极管、分布式布拉格反射镜、金属有机物化学气相沉积、垂直结构

所属期刊栏目：38

分类号：TN383;TH691.9(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFB0400103;吉林省科技发展计划20130204032GX,20150519004JH,20160101309JC;教育部新世纪人才计划NCET13-0254资助项目 Supported by National Key R&D Projects2016YFB0400103;Science and Technology Development Plan of Jilin Province20130204032GX,20150519004JH,20160101309JC;New Century Talent Program of Education MinistryNCET13-0254

在线出版日期：2017-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：753-759