V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

摘要：

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响.结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随着插入层厚度的增加而增大.在电学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,-5 V下的漏电流从5.2×10-4 μA增加至6.5×102 μA;350 mA下正向电压先从3.55 V降至3.44 V,然后升高至3.60 V.在光学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,35 A/cm2下的归一化外量子效率先从0.07提高至最大值1,然后衰退至0.53.对V形坑尺寸影响InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的物理机理进行了分析,结果表明:InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与V形坑尺寸密切相关,最佳的V形坑尺寸为120~190 nm,尺寸太大或者太小都会降低器件性能.

关键词：硅衬底、近紫外LED、低温GaN插入层、V形坑尺寸、光电性能

所属期刊栏目：38

分类号：O484.4;TN383+.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金青年基金 21405076资助项目 Supported by Youth Fund of National Natural Science Foundation of China21405076

在线出版日期：2017-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：735-741