不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究

摘要：

研究了不同方向、不同强度的应变对Ge光学性质的影响.结果表明,Ge在单轴张应变和双轴张应变的调控下,均可由间接带隙转向直接带隙,其中,单轴应变有更低的转变点.Ge在常用波段处(0.4 eV)的介电函数实部和虚部在张应变作用下,均急速上升而后在一定应变范围内下降.对Ge进行[111]单轴应变调控能表现出更好的光学性能以及更便捷的器件设计(较低的应变量).

关键词：锗、第一性原理、应变、光学性质

所属期刊栏目：38

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金11604016;北京市教育委员会科技计划一般项目资助 Supported by National Natural Science Foundation for Youth of China11604016;General Project of Science and Technology Program of Beijing Education Commission

在线出版日期：2017-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：702-708