封装热应力致半导体激光器“Smile"效应的抑制方法
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10.3788/fgxb20173805.0655

封装热应力致半导体激光器“Smile"效应的抑制方法

引用
封装热应力所致smile效应是阵列封装大功率半导体激光器中普遍存在的问题.为解决这一问题,本文在研究smile效应产生机理的基础上,提出采用错温封装技术和热沉预应力封装技术降低smile效应的措施.以某808nn水平阵列封装半导体激光器为例,采用仿真分析的办法研究了上述技术的可行性和有效性.仿真分析表明,采用传统封装技术,在恢复至室温22℃后,芯片smile值约为39.36 μm,采用封装前升高芯片温度至429℃的错温封装技术,可以将smile值降至1.9 μn;若采用热沉预应力技术,对热沉的两个端面沿长边方向分别施加190 N的拉力,可以将smile值降至0.35 μm.结果表明,这两种封装措施是有效的.错温封装技术和热沉预应力封装技术具有易于实现的优点,其中热沉预应力技术对于各种smile效应类型和不同的smile值都可以调整和修正.

半导体激光器、smile效应、热应力、错温封装、预应力

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TN248.4(光电子技术、激光技术)

湖北省自然科学基金面上项目2015CFB220;湖北省科技支撑计划2014BEC055;国家自然科学基金面上项目51578430;武汉科技大学青年科技骨干培育计划资助项目 Supported by General Program of Natural Science Foundation of Hubei province2015CFB220;Hubei Science and Technology Support Program2014BEC055;General Program of Natural Science Foundation of China51578430;Youth Science and Technology Backbone Training Program of Wuhan University of Science and Technology

2017-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

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1000-7032

22-1116/O4

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