退火对Ga2O3薄膜特性的影响

摘要：

采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga2O3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga2O3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射谱和原子力显微镜扫描的研究.结果表明,各类退火工艺均能够优化薄膜的晶体质量和表面形貌,同时有效改善了薄膜的光学性质.其中,氧气退火后的样品在可见光波段透射率高达83％,且吸收边更加陡峭;表面粗糙度降至0.564 nm,其表面更为平整.这些结果说明氧气退火对晶体质量的提高最为显著.氮气、真空退火的样品在光致发光谱中出现365nm的发光峰,这是大量氧空位的存在导致的.

关键词：氧化镓、退火、蓝宝石衬底、金属有机物化学气相沉积法

所属期刊栏目：38

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61106003,61274023;吉林省科技攻关计划20170204045GX资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China61106003,61274023;Science and Techaology Project of Jilin Province20170204045GX

在线出版日期：2017-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：606-610