电泳沉积法制备的Zn1-xCuxO薄膜的结构及阻变性能

摘要：

采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn1-xCuxO薄膜,并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨.PL谱表明,Cu掺杂在禁带中引入深受主能级,降低氧空位浓度,导致ZnO薄膜的紫外发光、蓝光发光和绿光发光峰强度降低.所得薄膜的晶粒细小、致密、均匀,具有稳定的双极性阻变特性,开关比Roff／Ron最高达到105,其低阻态(LRS)和高阻态(HRS)的阻变机理分别符合欧姆定律和空间电荷限制传导理论.器件经100次循环测试后开关比无明显变化,呈现出较为良好的抗疲劳特性.Cu掺杂对LRS影响不大,但显著改善了HRS的分散性以及转换电压VSET的分散性.当Cu掺杂量x=0.04时,器件表现出良好的综合性能:Roff≈106 Ω,Roff／Ron≈104,VSET介于0.4～3.03 V之间.

关键词：氧化锌、Cu掺杂、电泳沉积、阻变特性、导电细丝

所属期刊栏目：38

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：广东省科技计划2007A010500012,2013A011401010资助项目 Supported by Science and Technology Project of Guangdong Province2007A010500012,2013A011401010

在线出版日期：2017-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：594-600