利用干涉光刻技术制备LED表面微纳结构

摘要：

为了制备大面积周期性微纳米结构以提高LED的发光效率,建立了劳厄德(Lloyd)干涉光刻系统.简单分析了该干涉光刻系统的工作原理,并介绍了利用干涉曝光工艺制备一维光栅、二维点阵、孔阵列等纳米结构图形的具体实验过程.最后对纳米图形进行结构转移,制备出了金属纳米结构.实验结果表明:利用劳厄德干涉光刻系统,可以在20 mm×20 mm大小的ITO衬底上稳定制备出周期为450 nm的均匀光栅或二维点阵列图形结构,它们的占空比也是可以调节变化的.

关键词：干涉光刻、周期结构、发光二极管、光提取

所属期刊栏目：38

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：天津市自然科学基金14JCQNJC01000;国家自然科学基金11404239,61575144,61504093;集成光电子学国家重点联合实验室开放课题IOSKL2014KF15资助项目Supported by Natural Science Foundation of Tianjin14JCQNJC01000；National Natural Science Foundation of China11404239,61575144,61504093;Open Topics of State Key Laboratory of Integrated OptoelectronicsIOSKL2014KF15

在线出版日期：2017-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：470-476