载流子分布对GaN基LED频率特性的影响

摘要：

分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究.结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布.有源区内积累的电子会引起负电容效应.而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高.这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础.

关键词：氮化镓、发光二极管、可见光通信、调制带宽、载流子分布

所属期刊栏目：38

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金11574306;中国国际科技合作计划2015AA03A101,2014BAK02B08,2015AA033303资助项目 Supported by National Natural Science Foundation of China11574306;China International Science and Technology Cooperation Program2015AA03A101,2014BAK02B08,2015AA033303

在线出版日期：2017-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：347-352