低阈值852nm半导体激光器的温度特性
通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 mA,输出的光谱线宽小于1 nm.测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化.测试结果表明,当温度变化范围为293～328 K时,阈值电流的变化速率为0.447 mA/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 mW/K.通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符.实验结果表明,该半导体器件在293～303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态.器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行.
852nm半导体激光器、温度特性、阈值电流、特征温度
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
半导体激光器产业化技术基金YXBGD20151JL01;国家自然科学基金61575008,60908012,61376049,61076044,61107026,61204011;北京市自然科学基金4132006,4102003,4112006;北京市教育委员会基础技术研究基金KM201210005004资助项目 Supported by Semiconductor Laser Industrialization Technology FundYXBGD20151JL01;National Natural Science Foundation of China61575008,60908012,61376049,61076044,61107026,61204011;National Natural Science Foundation of Beijing city4132006,4102003,4112006;Foundation Technology Research Fund of Beijing Municipal Education CommissionKM201210005004
2017-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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