γ射线电离辐射对商用CMOS APS性能参数的影响

摘要：

研究了γ射线电离辐射效应对商用CMOS有源像素传感器(APS)性能参数的影响,着重分析了量子效率、转换增益、暗电流、坏点和脉冲颗粒噪声等参数.研究结果表明:当受到1 000 Gy辐射后,APS失去工作能力,无信号输出或像素灰度值仅为0,110,255 DN.60Co γ射线的离位截面约为10-25 cm2(0.1 b).当剂量率低于58.3 Gy/h且辐照时间较短时,辐射对量子效率及转换增益无影响,坏点产生数为0,总剂量效应使3T-APS的本底噪声升高到4.62 DN但对4T PPD APS几乎无影响.脉冲颗粒噪声引起的各灰度值像素数量分布呈泊松分布,并与剂量率正相关.

关键词：CMOSAPS、γ射线、总剂量效应、电离效应

所属期刊栏目：38

分类号：TN946.1;TN65

资助基金：湖南省科技重大专项2012FJ1007;湖南省研究生科研创新项目2015SCX02资助 Supported by Major Scientific and Technological Special Project of Hunan Province2012FJ1007;Graduate Student Research Innovation Project of Hunan Province2015SCX02

在线出版日期：2017-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：308-315