MOCVD反应室温度均匀性的研究

摘要：

为研究一种有效提高MOCVD反应室温度均匀性的方法,针对自主研发的大型立式MOCVD反应室,建立二维模型,就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析.为提高温度均匀性,通过改变不同电参数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的变化,发现电参数与加热效率成正比,但是与加热的均匀性成反比关系;在相同功率下,电流频率上升将导致温度均匀性下降.以上关系中反映出的合理的电参数,在保证反应温度的同时,保证了温度均匀性,有利于薄膜生长.

关键词：MOCVD、感应加热、温度均匀性

所属期刊栏目：38

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划8632012AA041002;江西省科技厅重大科技专项20114ABF06102;National High Technology Research and Development Program8632012AA041002;Major Science and Technology Project of Jiangxi Provincial Science and Technology Department20114ABF06102

在线出版日期：2017-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：220-225