Ta2 O5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响

摘要：

选用五氧化二钽(Ta2 O5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在 Ta2 O5表面旋涂一层 PMMA 可以降低栅绝缘层的表面粗糙度，增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm 范围内的 PMMA 对复合绝缘层表面形貌、粗糙度以及器件电学性能的影响。结果表明，当 PMMA 厚度为40 nm 时，器件的电学性能最佳。与单一的 Ta2 O5栅绝缘层器件相比，其场效迁移率由4.2×10-2 cm2／(V·s)提高到0.31 cm2／(V·s)；栅电压增加到-20 V 时，开关电流比由2.9×102增大到2.9×105。

关键词：Ta2 O5-PMMA、绝缘层、OFETs、迁移率、开关电流比

所属期刊栏目：38

分类号：O47;TN321+.5(半导体物理学)

资助基金：河北省自然科学基金F2012202075；天津市自然科学基金15JCYBJC52100资助项目Supported by Natural Science Fundation of Hebei ProvinceF2012202075； Tianjin Natural Science Fundation15JCYBJC52100

在线出版日期：2017-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：70-75