InGaN/GaN 多量子阱 LED 载流子泄漏与温度关系研究

摘要：

通过测量光电流,直接观察了 InGaN／ GaN 量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当 LED 温度从300 K 升高到360 K 时,在相同的光照强度下,LED 的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN／ GaN 量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是 InGaN 多量子阱 LED 发光效率随温度升高而降低的重要原因。

关键词：InGaN/ GaN 多量子阱、发光二极管、载流子泄漏、量子效率

所属期刊栏目：38

分类号：TN383+.1;O484.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61564007,11364034；江西省科技支撑计划2014BE50035资助项目Supported by National Natural Science Fundation of China61564007,11364034； Jiangxi Provincial Sci-Tech Support Plan 2014BE50035

在线出版日期：2017-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：63-69