量子阱层和垒层具有不同 Al 组分的270/290/330 nm AlGaN 基深紫外 LED 光电性能

摘要：

为了研究 AlGaN 量子阱层和垒层中 Al 组分不同对 AlGaN 基深紫外发光二极管(LED)光电性能的影响,本文利用 MOCVD 生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了 AlGaN 量子阱层和垒层具有不同 Al 组分的270／290／330 nm 深紫外 LED,通过实验和数值模拟计算方法发现,量子阱层和垒层中具有低 Al 组分紫外 LED 的 Al-GaN 材料具有较低的位错密度、较高的光输出功率和外量子效率。通过电流-电压(I-V)曲线拟合出的较大的理想因子(>3.5)和能带结构图表明,AlGaN 深紫外 LED 的电流产生是隧穿机制占据主导作用,这是因为高Al 组分 AlGaN 量子阱中强极化场造成了有源层区域较大的能带弯曲和电势降。

关键词：AlGaN、深紫外、发光二极管、数值模拟

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：中国博士后科学基金2014M561623；江苏省博士后科研资助计划1401013B资助项目Supported by China Postdoctoral Science Foundation2014M561623； Jiangsu Planned Projects for Postdoctoral Research Funds 1401013B

在线出版日期：2017-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：57-62