基于石墨烯-ZnO纳米线的复合电极在GaN LED中的应用

摘要：

使用一维ZnO纳米线和二维石墨烯复合结构集成到p-GaN表面来同时实现电流扩展和提高LED光提取效率。通过两组有无ZnO纳米线器件的对比,发现ZnO纳米线使器件的光提取效率提高了30％。通过分析两组器件的开启电压、工作电压和反向漏电流等关键参数,验证了本结构应用于GaN LED不会恶化其电性能。本文所采用的复合结构用于GaN LED,同时达到了良好欧姆接触、避免使用ITO和增强出光的效果。

关键词：氧化锌、氮化镓LED、石墨烯、透明导电层

所属期刊栏目：37

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61274012,51472221；国家自然科学基金青年基金11404291；航空科学基金2014ZF55013,2015ZF55013

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1554-1559