基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率，这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器，对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结；而后，着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度，阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展，其中，从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器；最后，探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。
AlGaN/GaN异质结、2DEG、GaN基HEMT传感器、栅结构、光探测器
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TN366;TN386.3;TP212(半导体技术)
教师队伍建设PXM201601420400001700205938 FCG青年拔尖项目市级；国家自然科学基金61574011；北京市自然科学基金4142005；北京市教委能力提升项目PXM2016014204500018
2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
1545-1553
