GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性
为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应，增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率，采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构，结合常规LED器件微加工技术获得了InGaN/GaN基蓝光与绿光纳米阵列LED器件并对其进行了表征分析。结果表明：纳米柱阵列LED器件具有均匀的发光和稳定的光电性能。纳米结构不仅有效缓解了量子阱中的应力积累(弛豫度~70％)，提高了器件的辐射复合几率和出光效率，同时结合纳米柱侧壁的化学钝化处理进一步降低了器件有源区的缺陷密度，显著降低了LED器件的漏电流(~10-7)，最终提高了器件的发光效率。
InGaN/GaN、发光二极管、纳米柱、纳米压印
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TP394.1;TN383+.1(计算技术、计算机技术)
国家重点研发计划2016YFB0400602,2016YFB0400100；国家高技术研究发展规划2014AA032605,2015AA033305；国家自然科学基金61605071,61674076,61274003,61422401,51461135002,61334009；江苏省自然科学基金BY2013077, BK20141320,BE2015111；固态照明与节能电子学协同创新中心项目；江苏省重点学科资助计划；南京大学扬州光电研究院研发基金
2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1538-1544
