气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

摘要：

利用深能级瞬态谱( DLTS)研究了气源分子束外延( GSMBE)生长的InP1-x Bix 材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1, E1的能级位置为Ec -0.38 eV,俘获截面为1.87×10-15 cm2。在未有意掺杂的InP0.9751 Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1, H1的能级位置为Ev +0.31 eV,俘获截面为2.87×10-17 cm2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。

关键词：InPBi、深中心、深能级瞬态谱(DLTS)、气源分子束外延(GSMBE)

所属期刊栏目：37

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61176065,61205055；山东省自然科学基金ZR2014FM011；信息功能材料国家重点实验室开放课题SKL201307

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1532-1537