射频磁控溅射法制备SnS2薄膜结构和光学特性的研究

摘要：

采用射频磁控溅射法溅射SnS2靶，在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品，研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射( XRD)和拉曼光谱( Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱( EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计( UV-Vis-NIR)对SnS2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试，计算或分析了SnS2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明：制备SnS2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下，所制备的SnS2薄膜沿(001)晶面择优取向生长，可见光透过率和折射率较高，消光系数较小，直接带隙为2.81 eV。在此基础上，进一步制备了n-SnS2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性，反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。

关键词：SnS2薄膜、射频磁控溅射、光学特性、异质结器件

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分类号：TN304;O484(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51272061

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1521-1531