氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

摘要：

采用低压化学气相沉积( LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO( BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明：在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。 Hall测试结果表明：在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。

关键词：低压化学气相沉积、ZnO薄膜、光学性能、载流子浓度、霍尔迁移率

所属期刊栏目：37

分类号：O484.4;TN304(固体物理学)

资助基金：江西科技学院博士科研启动基金；“863”国家高技术发展计划2012AA052401；国家自然科学基金21571095

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1496-1501