氧化硅薄膜中掺杂Tb3＋离子的发光敏化

摘要：

采用溶胶-凝胶法在硅片上制备了掺杂稀土离子Tb3+的SiO2薄膜,并用荧光分析方法研究了薄膜的发光特性,对发光效果的提升途径做了探索和分析。在245 nm波长的激发下,能够观察到Tb3+的5 D4-7 FJ (J=6,5,4,3)的跃迁发射峰。对于Tb3+离子的高浓度掺杂体系,在掺入富Si或Al3+离子后,浓度猝灭效应能得到明显改善。同时掺入两种激活剂的样品发光强度较只掺Al3+的样品大了近一倍。此外,氩气氛退火引入氧空位缺陷也能使样品的发光强度有较大提升,氩气氛退火的最佳温度为1200℃。

关键词：Tb3+、硅基材料、荧光分析法、溶胶凝胶法

所属期刊栏目：37

分类号：O473;O482.31(半导体物理学)

资助基金：江苏省自然科学基金BK20141337

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1464-1470