GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率

摘要：

在有效质量近似下，利用打靶法和费米黄金定则计算出Gax In1-x Asy P1-y/InP阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明，电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高，随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低，平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显，平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。

关键词：Gax In1-x Asy P1-y/InP、阶梯量子阱、电子、费米黄金定则、散射率

所属期刊栏目：37

分类号：O471.1(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61176065,61205055;山东省自然科学基金ZR2014FM011;信息功能材料国家重点实验开放课题SKL201307

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1408-1414