室温生长AZO/Al2 O3叠层薄膜晶体管性能研究
针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题,提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件,无需退火处理即可获得较好的器件性能。该器件采用脉冲激光沉积技术制备的AZO/Al2 O3叠层结构作为沟道层。与单层AZO-TFT器件相比,叠层TFT器件具有更优异的性能,其迁移率为2.27 cm2·V-1·s-1,开关比为1.43×106。通过对AZO/Al2 O3叠层薄膜的厚度、密度、粗糙度、物相、界面特性及能带结构等进行分析,发现这种叠层结构能够使电子的运动被限制在AZO薄膜平面内,即形成了二维电子传输,从而提升TFT器件的性能。
叠层薄膜晶体管、室温工艺、二维电子传输
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TN321+.5(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划9732015CB655004;国家重点研发计划2016YFB0401504,2016YFF0203603;广东省自然科学基金2016A030313459;广东省科技计划2014B090915004,2016B090907001,2014A040401014,2016B090906002,2015A010101323,2014B090916002,2015A010101323,2015B090915001,2015B090914003;广东省教育厅项目2014KZDXM010,2015KTSCX003;中央高校基本科研业务费专项资金2015ZP024,2015ZZ063;新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题KF201508
2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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