硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性

摘要：

为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜.将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理.对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线,用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱,并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数.结果表明,退火后的薄膜质量明显提高.退火后大部分区域吸收增大,透射率明显减小,615～3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20％以上.退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍,迁移率增大到退火前的27.82倍.

关键词：硅基锗薄膜、红外吸收谱、载流子浓度、迁移率、电导率

所属期刊栏目：37

分类号：O722;O484.4(X射线晶体学)

资助基金：国家自然科学基金11272142,51261017,11562016,61366008;内蒙古自治区自然科学基金2013MS0107;内蒙古工业大学校重点项目ZD201220

在线出版日期：2016-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1177-1181