射频磁控溅射法制备SnS薄膜及其结构和光学特性

摘要：

利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜并对其进行快速退火处理，利用X射线衍射( XRD)、拉曼光谱( Raman)、X射线能量色散谱( EDS)、原子力显微镜( AFM)和紫外-可见-近红外( UV-Vis-NIR)分光光度计研究了不同溅射功率(60~120 W)条件下制备的SnS薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌以及有关光学特性。结果表明：经快速退火的薄膜均已结晶，提高溅射功率有利于改善薄膜的结晶质量、生长择优取向程度和化学配比，薄膜的平均颗粒尺寸呈增大趋势；溅射功率为100 W的薄膜样品的结晶质量和择优取向度高，薄膜应变最小，且为纯相SnS薄膜，Sn/S组分的量比为1∶1.09，吸收系数达105 cm-1量级，直接禁带宽度为1.54 eV。

关键词：SnS薄膜、射频磁控溅射、快速退火、晶体结构、光学特性

所属期刊栏目：37

分类号：TN304;O484(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51272061

在线出版日期：2016-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1114-1123