掺杂石墨烯量子点对P3 HT∶PCBM太阳能电池性能的影响
为研究掺杂石墨烯量子点( GQDs)对聚合物电池的影响,采用溶剂热法制备了GQDs,掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物(P3HT∶PCBM)中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs后,聚合物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高。 GQDs掺杂质量分数为0.15%时,形成的掺杂薄膜平整、均匀,填充因子提高了17.42%。 GQDs经还原后,随还原时间的延长,填充因子FF增大。到45 min时,电池的FF基本稳定,从31.57%提高至40.80%,提高了29.24%。退火后,获得了最佳的掺杂GQDs的聚合物太阳能电池,开路电压Voc为0.54 V,填充因子FF为55.56%,光电转换效率为0.75%。
氧化石墨烯、石墨烯量子点、掺杂、P3HT∶PCBM、聚合物太阳能电池
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O649(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金21403016;吉林省教育厅项目2016326
2016-10-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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