化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨

摘要：

在常压条件下使用CVD法生长单层WS2,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目的。采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达120μm的单层WS2晶粒。同时讨论了几个重要参数如温度、生长时间以及钨源用量等对生长单层WS2的影响。结果表明：温度对CVD生长WS2影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS2。调节生长时间可以控制WS2晶粒的大小,较长时间能生长出连续的薄膜。过量的S蒸汽会抑制WS2生长,影响结晶质量。

关键词：单层二硫化钨、化学气相沉积、拉曼光谱、光致发光谱

所属期刊栏目：37

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61527817,61335006,61378073;北京市科学技术委员会项目Z151100003315006;国家重点研发计划2016YFA0202300

在线出版日期：2016-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：984-989