硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制

摘要：

将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射( HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现：垂直结构LED薄膜芯片在160~180益下退火应力释放明显,200益时应力释放充分, GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。

关键词：硅衬底、GaN、应力、XRD、Ag-In

所属期刊栏目：37

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家科技部支撑计划2011BAB32B01

在线出版日期：2016-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：979-983