F8 BT：P3 HT共混薄膜放大自发辐射的温度效应

摘要：

研究了温度对聚合物 poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)(F8BT)和 poly(3-hexylthiophene)(P3HT)共混薄膜的放大自发辐射(ASE)的影响。在80~320 K温度范围测试了不同P3HT质量比的共混聚合物薄膜和纯F8BT薄膜的ASE特性。在室温条件下,共混聚合物的阈值随着P3HT所占比例的增加先降低后升高。当P3HT比例约为20%时,阈值最低约为2.59×103 W/cm2。当温度从320 K下降到80 K时,纯F8BT薄膜的ASE阈值光功率由5.36×103 W/cm2下降到4.15×103 W/cm2,P3HT质量比为20%的共混薄膜的ASE阈值光功率由2.84×103 W/cm2下降到2.03×103 W/cm2。在一特定泵浦光功率(5.29×103 W/cm2)下,当温度由320 K下降至80 K时,ASE强度约提高4倍。随着温度的降低,混合物薄膜的ASE峰位红移,移动达12 nm。

关键词：放大的自发辐射、温度效应、聚合物共混波导、阈值

所属期刊栏目：37

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61275175

在线出版日期：2016-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：973-978