纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱( PL)。结果表明：应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率( IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移；应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽( FWHM )展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
GaN基LED、绿光LED、纳米柱结构、光致发光谱
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TN303;TN304(半导体技术)
“863”国家高技术研究发展计划2014AA032609;国家自然科学基金61404050;广东省科技计划2014B010119002,2016A010103011;广州市珠江科技新星专项201610010038;中央高校基本科研业务费专项资金2015ZM131
2016-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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